历史可编程逻辑器件的发展随着半导体集成电路的发展而不断发展，其发展可分为以下四个阶段：
1 .第一阶段20世纪70年代，可编程器件只有简单的可编程只读存储器(PROM )、紫外线可擦只读存储器(EPROM )、电可擦只读存储器(EEPROM )三种，由于结构的限制
2 .第二阶段20世纪80年代，出现了结构稍复杂的可编程阵列逻辑(PAL )和通用阵列逻辑(GAL )器件，正式称为PLD，它们可以完成各种逻辑运算功能。 典型的PLD由“and”、“not”排列构成，以“and”方式实现任意组合逻辑，因此PLD可以以积和的形式完成很多逻辑的组合。 PAL设备是可编程的，编程后不能修改； 如果需要修复，则需要更换新的PAL设备。 然而，GAL装置不需要更换，只要用原始装置重新编程即可。
3 .第三阶段20世纪90年代，许多可编程逻辑器件制造商推出了与标准门阵列相似的FPGA和与PAL结构相似的可扩展性CPLD，以提高逻辑运算速度，具有体系结构和逻辑单元灵活性、集成度高、适用范围广等特点
4 .第四阶段21世纪初，现场可编程门阵列与CPU融合，集成在单个FPGA器件中。 典型的Xilinx猜测了两种基于FPGA的嵌入式解决方案：
)1) FPGA器件内置时钟频率高达500MHz的PowerPC硬核微处理器和1GHZ的ARM Cortex-A9双核硬核嵌入式处理器。
)2)提供MicroBlaze、PicoBlaze等低成本嵌入式软核处理器。
通过这些嵌入式解决方案，实现了软件需求和硬件设计的完美结合，FPGA的应用范围从数字逻辑扩展到了嵌入式系统领域。
可编程逻辑器件过程1 .熔丝连接过程最早允许对器件编程的技术是熔丝连接技术。 在使用该技术的设备中，所有逻辑都通过保险丝连接。 熔丝器件只能编程一次，一旦编程就不能永久改变。
保险丝的编程原理如图2.1所示。 进行编程时，需要烧断保险丝； 编程完成后，相应的保险丝被切断，如图2.2所示。
2 .反熔丝连接技术反熔丝技术，如果没有编程，则没有连接熔丝； 编程后，保险丝连接到逻辑单元。 反熔丝是连接两个金属的微非晶硅柱，在未编程的情况下，呈高阻状态； 编程结束后，形成连接。 反熔丝器件只能编程一次，一旦编程就永远无法改变。
反熔丝的编程原理如图2.3所示。 要进行编程，必须连接保险丝； 编程完成后，将连接相应的保险丝，如图2.4所示。
3.SRAM进程SRAM的结构如图2.5所示。 基于静态存储器SRAM的可编程设备在值存储在SRAM中时，只要系统正常供电，信息就不会丢失。 否则，信息就会丢失。 SRAM需要消耗大量的硅面积来存储数据，如果关闭电源，数据会丢失，但这些设备可以重复编程和修改。
大多数FPGA都采用了这个过程。 因此，在FPGA外部需要用于存储设计代码的PROM芯片。
4 .屏蔽处理ROM是非易失性设备，系统断电后将信息留在存储单元中。 屏蔽设备可以读取信息，但不能写入信息。 ROM单元如图2.6所示，保持行菜单列的数据，形成负载电阻维持逻辑1的阵列，在各矩阵的交叉点上有相关晶体管和屏蔽连接。
注：该技术成本较高，基本上很少使用。
为了让读者能够理解在上图中实现的功能，下面导出其机制。
PROM进程PROM是非易失性设备，在系统断电后，信息保存在存储单元中。 PROM设备可以编程一次，之后只能读取数据，不能写入新数据。 PROM单元保存行和列的数据，形成一个阵列，各列有负载电阻并维持逻辑1，各矩阵的交叉点连接有一个相关晶体管和一个掩模。 请参照下图。
如果可以多次编程，则称为EPROM和EEPROM技术。
6 .闪存过程使用闪存技术的芯片擦除速度比使用PROM技术的芯片快得多。 闪存技术可以采用多种结构，与EPROM单元一样，具有一个浮置栅晶体管单元和EEPROM器件的薄层氧化特性。
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