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kali linux(用linux集成电路版图设计,集成电路版图设计教程2012版本)

时间:2023-05-04 15:46:31 阅读:121780 作者:4511

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集成电路布局教程平装2012年5月22日

光明的未来(作者) wmdy )作者

本书的系统介绍使用Cadence软件的集成电路布局的原理、编辑和验证方法。

出版社:上海科学技术出版社; 版本1(2012年3月1日) )。

平装:第317页

语言:简体中文

开本: 16

ISBN33607547810365、9787547810361

条形码: 9787547810361

商品尺寸: 25.8 x 18.6 x 1.4 cm

商品重量: 522 g

品牌:上海科技出版社

ASIN: B007NDJLOS

目录

第一章半导体集成电路

1.1集成电路的发明与发展

1.2集成电路的分类

1.2.1按设备结构类型

1.2.2按电路功能分类

1.3集成电路的制造工艺

1.3.1设计

1.3.2掩模板的制造

1.3.3单晶材料

1.3.4芯片制造

1.3.5软件包

1.3.6检查

1.4CMOS集成电路

1.4.1CMOS数字电路

1.4.2CMOS模拟电路

1.5集成电路的制造工艺

1.5.1氧化

1.5.2光刻和蚀刻

1.5.3掺杂

1.5.4沉积

1.5.5接触和互联

1.5.6CMOS工艺的主要流程

1.6习题

第二章UNIX操作系统和诊断软件

2.1UNIX操作系统基础知识

2.1.1目录相关操作

2.1.2相关文件的操作

2.1.3文件访问权限

2.1.4命令处理

2.1.5的使用

2.1.6LinUX概述

2.2诊断软件

2.2.1EDA制造商介绍

2.2.2诊断软件概述

2.3输入和编辑电路图

2.3.1创建新库

2.3.2电路图编辑窗口

2.3.3电路图的输入

2.3.4电路图分层设计

2.4习题

第三章virtuoso布局编辑器

3.1布局编辑器概述

3.1.1版图库和版图单元的创建

3.1.2打开文件

3.1.3层选择窗口的设置

3.1.4布局编辑窗口

3.1.5使用选项菜单设置布局编辑窗口

3.2制图

3.2.1输入层的设置

3.2.2画面显示绘图区域

3.2.3创建几何图形

3.2.4创建实例

3.3编辑布局

3.3.1设置层的可视性

3.3.2测量距离或长度

3.3.3图形显示

3.3.4目标选择

3.3.5改变图形层次

3.3.6标记

3.4习题

第四章CMOS数字集成电路布局设计

4.1M0S场效应晶体管布局实现

4.1.1单MOS场效应晶体管布局实现

4.1.2MOS场效应晶体管阵列布局实现

4.2布局规则

4.2.1概述

4.2.21.5m硅栅CMOS设计规则

4.3CMOS数字电路基本单元的布局设计

4.3.1变频器

4.3.2传输门

4.4棍棒图

4.5CMOS数字电路布局设计实例

4.5.1异或

4.5.2全加法器

4.5.3无置位端子和复位端子的d触发器

4.5.4带复位端子的d触发器

4.6布局方法概述

4.6.1布局方法

4.6.2分层设计概述

4.7CMOS数字电路分层设计实例

4.7.12输入多路复用器(mux2 )

4.7.2SRAM单元及阵列

4.8常见布局技术

4.9习题

第五章布局验证

5.1概述

5.1.1布局验证项目

5.1.2Cadence软件布局验证工具

5.1.3布局验证流程概述

5.2运行div ADRC

5.3运行dracula DRC

5.3.1验证步骤

5.3.2结果分析

5.4运行dracula LVS

5.

4.1LVS原理

5.4.2运行过程

5.4.3输出报告解读

5.4.4错误的纠正

5.5关于ERC

5.6习题

第6章版图验证规则文件的编写

6.1DivaDRC验证规则文件的建立

6.1.1DivaDRC规则文件简介

6.1.2层操作命令的图文解释

6.1.3DivaDRC命令

6.1.4DivaDRC规则文件的举例

6.2DraculaDRC规则文件

6.2.1Dracula规则文件的结构

6.2.2建立DraculaDRC规则文件

6.3建立DraculaLVS规则文件

6.4Dracula规则文件至Diva规则文件的转换

6.5习题

第7章外围器件及阻容元件版图设计

7.1特殊尺寸器件的版图设计

7.1.1大尺寸器件

7.1.2倒比管

7.2电阻、电容器及二极管的版图设计

7.2.1MOS集成电路中的电阻

7.2.2MOS集成电路中的电容器

7.2.3集成电路中的二极管

7.2.4CMOS工艺下的衬底PNP管

7.3CMOS集成电路的静电放电保护电路

7.3.1ESD攻击模型与测试方法

7.3.2ESD保护器件

7.3.3ESD保护电路

7.3.4全芯片ESD版图设计技术

7.4CMOS闩锁效应及其预防措施

7.5压焊块的版图设计

7.6电源和地线的设计

7.6.1电源和地线在外围的分布框架

7.6.2电源和地线在内部的分布

7.7习题

第8章CMOS模拟集成电路的版图设计

8.1模拟集成电路和数字集成电路的比较

8.2失配的概念

8.3MOS器件的匹配

8.4无源元件的匹配

8.4.1电阻的匹配

8.4.2电容的匹配

8.5寄生效应

8.5.1寄生电容

8.5.2寄生电阻

8.6噪声的防护

8.6.1衬底噪声

8.6.2金属导线之间的串扰

8.7版图布局

8.7.1版图布局的概念

8.7.2布局需要注意的问题

8.7.3版图布局实例

8.8运算放大器版图设计实例

8.9习题

第9章铝栅CMOS和双极集成电路的版图设计

9.1铝栅CMOS集成电路

9.1.1铝栅CMOS电路的结构

9.1.2铝栅CMOS集成电路版图实例

9.2双极集成电路

9.2.1双极晶体管的版图图形

9.2.2双极集成电路的版图设计原则和步骤

9.3双极集成电路版图实例

9.3.1五管单元与非门的设计

9.3.2A741型通用集成运放的版图设计

9.4习题

附录

附录A0.6μm工艺设计规则(0.6μmTechnologyTopologicalDesignRule)

附录B1.5bLm硅栅cMOSdivaDRC规则文件(1.5μmSi—GateCMOSdivaDRC.rul)

附录C1.5μm硅栅CMOSN阱单层多晶双层金属LVSDracula规则文件(1.5μmSi—GateCMOSNwellSPDMLVSDraculaFile)

附录D习题参考答案

参考文献

2019-1-14 10:22 上传

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