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首先是2DNAND。 在数学和物理领域，我们知道2D/3D都指向方向，指向坐标轴。 2D是指平面上的长度和宽度，3D是在2D上增加了垂直方向上的“高度”概念。
因此，2DNAND的真正含义是实际上是在单一die内部的粒子排列方式，按照传统的二维平面模式排列闪光粒子。
与此相对，3DNAND除了2维平面外，在垂直方向上也革新了粒子的排列，也就是原来的平面的重叠方法。
利用新技术，即3DNAND技术，粒子可以立体堆积，解决了由于晶片物理局限性导致单个die的可用容量不能再扩大的限制，在相同体积的情况下，闪存粒子的单个die的容量、体积大幅提高，存储粒子整体的容量、体积得到了提高
另一方面，在业界，根据垂直方向层叠的粒子层数，与选择的粒子种类不同，3DNAND粒子可以分为32层、48层、甚至64层3DTLC/MLC粒子的不同产品，这取决于大型制造商的技术储备和实际选择的粒子种类
例如，可以理解2DNAND和3DNAND艺术的区别和联系。
2DNAND就像有限平面上的几间平房，这些平房排列整齐，但随着需求量的增加，平房的数量不断井喷，但最终这个有限面积的平面只能容纳一定数量的平房，不能再增加
3DNAND就像是建在同一个平面的大楼，在同一个平面内大楼的容积率远远高于平房，所以可以提供更多的空间，也就是更大的存储空间，32层、48层、64层是这些大楼的高度，一共是