现在；一台台电源，几乎都能发现FET的影子。几乎每个电源工程师都用过这东西，或用来逆变；或用来整流；或就当个开关。
由于用处不同；每个厂家都对不同用处FET做了专门优化。以致同样耐压/电流的FET；有多个型号。自然；每个厂家都有其独特的特点。高低贵贱；百花齐放
可见；作为工程师，读懂FET；选取最合适的器件，是多重要！
FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞，每个胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量FET并联；达到开关大电流。也就是同样大小硅片和耐压下；胞越多；允许电流越大。
FET里；不仅FET胞是并联的，寄生二极管也是很多并在一起的！
每个胞的原理结构如图示
红色指示的是FET开关的沟道，兰色的是寄生的体二极管。
平时；FET是关断的。当栅上加正压时；在邻近栅的位置；会吸引许多电子。这样；邻近的P型半导体就变成了N型；形成了连接两个N取的通道（N沟道）
，FET就通了。显然；FET的耐压越高；沟道越长；电阻越大。这就是高压FET的RDSON大的原因
反之；P沟FET也是一样的，这里不在叙述。
所以；功率FET，常被等效为：
得益于多胞结构；FET的寄身二极管拥有了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐量。在数据表中；以EAR（可重复雪崩耐量）和EAS（单次雪崩耐量）表示。它表征了FET抗电压（过压）冲击的能力。因此；许多小功率反激电源可以不用RCD吸收，FET自己吸收就够了。
用在过压比较严重的场合，这点要千万注意啊！大的雪崩耐受力；能提高系统的可靠性！
FET的这个能力和电压；终身不会改变！
FET是实实在在的物质构成的；里面有导体/半导体/绝缘体。这些物质的相互搭配；做成了FET。那么；任何两个绝缘的导体，自然构成了物理电容——寄生电容。
红色的就是DS间的寄生电容Coss。蓝色的就是密勒电容Cgd。黑色的就是栅原电容Cgs。
Cgd Cgs=Ciss——输入电容
Coss——输出电容
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