今天，特德兰电子小编与大家分享主题。 什么是MOS管驱动电路？ 如何理解MOS管驱动电路的原理？
作为电子工程师，已知在使用MOS管设计开关电源和电机驱动电路时，几乎所有人都考虑了MOS的导通电阻、最大电压等最大电流等，很多人只考虑了这些因素。 这样的电路可能工作，但并不出色，作为正式的产品设计也是不允许的。
以下是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一些总结，其中参考了一些资料，并非全部是原创。 包括MOS管的介绍、特性、驱动及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是一种FET (另一种是JFET )，可以制造为增强型或耗尽型、p沟道或n沟道共计4种类型，但实际使用的是增强型n沟道MOS管不建议刨根问底为什么不使用耗尽型MOS管。 关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。 因为导通电阻小，制造容易。 因此，在开关电源和电机驱动的APP应用中，一般使用NMOS。 在以下介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个引脚之间存在寄生电容，这不是我们需要的，而是由于制造工艺的限制。 由于寄生电容的存在，驱动电路的设计和选择很费工夫，但无法避免。 详情在后面叙述。
漏极和源极之间有寄生二极管，如在MOS管原理图中可以看到的。 这称为体二极管，在驱动电机等电感性负载方面，该二极管很重要。 顺便提一下，体二极管只存在于单一MOS管中，集成电路芯片内部通常没有。
2，MOS管导通特性
接通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性适合源极接地(低端驱动)的情况，因为Vgs超过一定值时导通。 栅极电压为4V或10V即可。
PMOS的特性适合将VCC连接到源极(高端驱动)，因为Vgs在低于一定值时导通。 但是，虽然PMOS可以方便地作为高端驱动器使用，但由于导通电阻大、价格高、更换种类少等原因，高端驱动器通常使用NMOS。
3，MOS开关管损失
无论是NMOS还是PMOS，导通后都存在导通电阻，电流会因该电阻而消耗能量。 这个消耗的能量的一部分叫做导通损失。 选择导通电阻小的MOS管，导通损耗会变小。 目前小功率MOS管的导通电阻一般在几十毫欧元左右，也有几毫欧元的。
MOS在接通和断开时，并不总是瞬间完成。 MOS两端的电压有下降的过程，流动的电流有上升的过程。 bhdej，MOS管的损耗是电压和电流的乘积，称为开关损耗。 通常，开关损耗远大于导通损耗，而且开关频率越快，损耗也越大。
因为接通瞬间的电压和电流的乘积很大，所以损失也很大。 可以缩短开关时间，减小每次导通时的损失。 降低开关频率可以减少单位时间的开关次数。 这两种方法都可以减小开关损耗。
4，MOS管驱动
与双极晶体管相比，导通MOS管不需要电流，GS电压高于一定值即可。 这很简单，但需要速度。
从MOS管的结构中可以看出，GS、GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动实际上是对电容的充放电。 对电容器充电需要电流。 对电容器的充电可以瞬间将电容器视为短路，因此电流会瞬间变大。 在选择/设计MOS管驱动时，首要注意的是可以提供瞬时短路电流的大小。
第二个注意点是，高端驱动一般使用的NMOS在导通时栅极电压比源极电压大。 另一方面，高端驱动的MOS晶体管的jzdbm的栅极电压和漏极电压(VCC )相同，因此在这种情况下，栅极电压比VCC大4V或10V。 要在同一系统中获得大于VCC的电压，需要专用的升压电路。 许多电机驱动器内置电荷泵，但必须选择合适的外置电容器，以获得足够的短路电流来驱动MOS管。
以上提到的4V和10V是常用的MOS管导通电压，设计上当然需要一定的裕度。 此外，电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。 目前，导通电压更小的MOS被用于各种领域，但对于12V汽车电子系统，一般4V导通就足够了。
5，MOS管应用电路
MOS管最明显的特性是开关特性好，因此被广泛应用于需要电子开关的电路中，是开关电源和电机驱动等常见的东西，还有照明调光。
资料来源： http://www.tdl dz.com/newsdata _ 884.html
标签： MOS管驱动LED电路、MOS管驱动芯片、大功率MOS管驱动电路
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