众所周知，闪存层数越多，闪存的容量越大。 此前三星品牌保存的3D V-NAND已经堆砌成令人惊叹的48层，技术精良，但据《日经亚洲评论》报道，东芝计划64层NAND闪存，比三星多三分之一。
到3月底，东芝将生产最新一代的3D闪存。 这位将军将先于闪存的老对手三星电子生产。
最近，东芝因财务丑闻陷入了公司运营困难的状况，东芝也希望占据技术优势的闪存业务能提高公司整体的业绩。
据报道，东芝和三星电子目前生产的闪存芯片在垂直方向上使用了48层芯片，层数的增加意味着每单位面积闪存芯片的数据容量更大。 目前，智能手机正在走向超薄化，手机的内部空间非常宝贵，因此闪存芯片密度的提高对手机产业具有积极的意义。
三星可能会在2017年下半年开设位于韩国京畿道平泽市的新工厂，生产自己的64层闪存，但官方尚未明确表态。
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