上一节论述了MOS管在双向电平转换中的应用。 这个应用可以说是非常经典的。 今天我们来谈谈使用MOS管作为开关的事情。
硬件知道MOS管是电压控制型部件。 也就是说，当向MOS管的栅极施加电压时，当栅极-源极电压差大于vgs(th )时，MOS管导通(如果不太大则烧损)。 源极电压确定后，通过控制栅极电压可以实现MOS管的导通和截止，从而也可以实现MOS管的漏极或栅极负载的导通和截止。
NMOS管的源极接地，栅极源极电压等于栅极电压。 此时，通过向栅极电压施加PWM，可以实现MOS管的导通和截止。 接通时，发光二极管正常工作。 关闭时，发光二极管停止工作。
发光二极管没有连接到栅极。 原因，此时不方便判断栅极源极电压。 通常用NMOS管进行开关，负载与漏极连接。
PMOS管在源极上连接电压，在栅极上连接PWM。 当栅极电压大于vgs(th )时，MOS管导通。 发光二极管工作。 当栅极源极电压小于vgs(th )时，MOS管截止，发光二极管停止工作。
发光二极管不与源极连接。 因为无法判断源极电压。 因为没有直接连接到漏极，所以很方便。
总之开关时，负载与漏极连接。
在某些情况下，电路还进行软启动器设计。 也就是说，情况如下。
电阻r和c起到了软启动的作用。
软启动会减缓MOS晶体管栅极的通电，延长时间。
以下是其他项目是否使用延迟的比较。
软启动
软启动以外
可见软启动效果优于不采取软启动措施，因此软启动设计在MOS管进行开关时也尤为重要。