氮化镓(GaAs )在MMIC的发展中得到了广泛的应用。 因为它既适用于高频晶体管，也适用于低损耗的无源元器件。 在用液体包裹的czochraiski(LEC )法生长GaAs锭时，稳定的高电阻率GaAs材料的技术才得以实现。 在mydsg的皇家雷达机构中，对利用三氧化硼密封剂生长GaAs的方法进行了大量的初期研究，该方法目前仍在使用中。 水平Bridgman法在产生低位错密度的同时，直接产生必要的高电阻率，使GaAs成为微波元件的合适基板。 利用GaAs制造晶体管的独创性研究是JimTumer在Plesscy研究(Caswell )中首次进行的。 于是，早期失望的GaAs双极晶体管的经历引起了1962年对GaAs场效应晶体管的浓厚兴趣。 第一个器件具有24 um的大栅极长度，并且可以在VHF波段中产生功率增益。 1967年，业界制造了4 um栅极长度的器件，在1GHz下产生了10dB的增益。 这也被称为GAT1，是普莱斯特和微波有限公司销售的第一台商用设备。 由于电子束光刻技术的发展，1971年生产了最初的1 um的器件，在10GHz频带也获得了增益，之后作为GAT3上市。 20世纪70年代最初的10年间，对GaAs MESFET技术感兴趣的只有现代的橘子(Caswcll )和IBM )苏黎世)。
随着产生这种高性能的微波晶体管的激活，对带微带电路的半导体器件的概念进行了研究。 最初的GaAs MMIC是包含二极管和微带线的简单电路，其结果由德克萨斯仪器于1968年报道：秀丽的百合、Jones和Vendclin表示使用肖特基势垒二极管的单端94G Hz混频器的结果。 (但是，没有显示测定的性能)。 在同一问题上，Mehal和Wacker介绍了94GHz平衡混频器和30GHz Gunn振荡器的设计。 然而，如图1所示，基于他的晶体管的MMIC是由现代Caswell的硅IC设计者MichaelGay首次使用具有电容器、电感和电阻的MESFET来制作5GHz接收机芯片的布局的虽然没有意识到这一点，但是这个想法如图2所示，用现代橘子(Caswell )制作了世界上第一个GaAs FET MMIC，Pengelly和Turner报告的这是以GAT3器件为基础的单级x波段放大器，但是稍后，Joshi等人展示了业界首款FET MMIC振荡器在j波段工作的结果。
在这些早期成功之后，世界对GaAs的兴趣大幅增加，到1979年，IEEE成立了专门研究GaAs IC发展的研讨会。 以来，已经发表了数千篇论文，其中许多是由于设备技术的进步，这些技术产生了更高的频率和更好的性能。 但是，一些论文提出了真正重要的新技术； 这些论文引起了全世界的兴趣，它们的贡献成为了MMIC发展史上真正的里程碑。 在这里，我将介绍一些特别值得注意的文件，并事先向可能错过工作的研究者道歉。 1981年，Hombuckle和Van Tuyl展示了完全使用晶体管和电平移位二极管的直接耦合放大器的结果。 1982年，Jamison等人介绍了采用平面螺旋变压器的MMIC放大器的设计，并将该技术普及到了封装密度极高的接收机芯片上。 对MMIC放大器的设计，给出了并联和串联的反馈技术，这两种技术都显示出了MMIC固有的良好的寄生控制优势。
图1、1969年独创的MM1C布局： GaAs集成电路-5GHz接收芯片
图2、世界首款MMIC放大器
在功率放大器的设计中，随着Pavlidis描述的簇匹配(cluster matching )技术的引入，MMIC面临的热和匹配问题得到了很大的克服。 关于宽带放大器，重新研究了行波(travelling-wave (或分布式)分布式) )放大器技术，充分利用了MESFET的高性能和MMIC的低寄生性(1982年，Strid和Gleeson尤为重要) 但是，热空等人报告的电路尺寸小，性能依然显著，电感内的耦合实际上用于提高性能。 在高功率的情况下，分布式放大器一直处于劣势，但Ayasli等人在1984年提出的电容耦合分布式放大器技术表明，功率限制并不是无法克服的。
当HEMT可用时，分布式放大器进入了新的时代，Majidy-Ahyelal于1990年报告了采用共面波导的InP MMIC分布式放大器的5-100GHz带宽，重新定义了分布式放大器的带宽标准。 Pavio演示分布式放大技术的其他电路功能和宽带混频器和有源
xsdh得到了相当大的好评和广泛的兴趣。 在欧洲，人们对卫星电视接收机产生了极大的兴趣，第一批12GHz MMIC接收机芯片是重要的里程碑片上天线首先在二极管混频器接收机中展示出来了，因为它们的大小决定了它们主要用于毫米波段。 现在毫米波HEMT技术已经成熟，片上天线元件更令人感兴趣，因此晶圆级有源相控阵已经被提出。 为了使电路小型化技术，有源技术一直是人们感兴趣的技术；Schindler等人提出了在横向分布式放大器拓扑中使用FETs的有源滤波器， 并由Hara等人提出了有源电感，这些都是在1989年发生的。 Hirota等人证明，‘Uniplanar（共面）’的MMIC采用共面波导和槽线设计技术，提供了一个巨大的新电路，和平冈等演示了第一批采用薄膜微带技术的多层电路之一。这些概念得到了进一步的发展，并最终导致了三维MMIC技术的出现。
就新的电路设计技术而言，20世纪80年代肯定代表了MMIC设计师的鼎盛时期。 在20世纪90年代，新器件的发展非常迅速，HEMT放大器通过100G Hz势垒，GaAs HBT提供了新水平的高功率性能，即使在毫米波范围内SiGe技术正在开发以开始挑战I1I-V材料的优势地位。 20世纪90年代的另一个重大发展是日益强调MMIC技术在通信中的民用应用，以及无线电革命的首个迹象是因为低成本的MMIC收发器使新的系统成为可能。 因此，设计人员经常采用既定的电路思想，但更多地使用CAD工具，以实现复杂的多功能MMIC，同时小型化电路区域来实现海量制造。
商用电磁仿真模拟器在20世纪90年代末变得广泛使用，并大大提高了设计者以更大的信心建模电路的能力。 随着我们进入新的千年，很明显，系统集成是一个主要的驱动力，因为制造成本的压力直接推动产品解决方案的组件数量越来越少。 同样，特别是在通信应用中，数字和模拟功能的集成是一个很大的发展趋势，软件无线电等技术越来越受欢迎。 这种不同功能的集成给硅技术在低GHz范围内的直接应用带来了巨大的推动力，在那里有如此多的无线系统同时运行。